QS8M51TR

QS8M51TR
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QS8M51TR參數：MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2A，1.5A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：325 毫歐 @ 2A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.7nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：290pF @ 25V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應商器件封裝：TSMT8