RFP30N50

RFP30N06LE
PDF資料下載

RFP30N06LE參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
PCNObsolescence： MultipleDevices14/Mar/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：400
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：30A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：47毫歐@30A，5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：62nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1350pF@25V
功率-最大值：96W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB