RQJ0203WGDQATL-E

RQ1A060ZPTR
PDF資料下載

RQ1A060ZPTR參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動
漏源極電壓 (Vdss)：12V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：23 毫歐 @ 6A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2800pF @ 6V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TSMT8
供應(yīng)商器件封裝：TSMT8