RSJ-RD

RSJ10HN06TL
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RSJ10HN06TL參數：MOSFET N-CH 60V 100A LPTS

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：100A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.2 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：202nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：11000pF @ 10V
功率 - 最大值：100W
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-83
供應商器件封裝：LPTS