RSQ015P10TR參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動(dòng)漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：1.5A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：470 毫歐 @ 1.5A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：950pF @ 25V功率 - 最大值：1.25W安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6供應(yīng)商器件封裝：TSMT6
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