RSRBD101M1EE11300T

RSR010N10TL
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RSR010N10TL參數：MOSFET N-CH 100V 1.0A TSMT3

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平柵極，4V 驅動
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：1A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：520 毫歐 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：3.5nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：140pF @ 25V
功率 - 最大值：540mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-96
供應商器件封裝：TSMT3