RUESB185

RUE002N02TL
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RUE002N02TL參數：MOSFET N-CH 20V .2A EMT3

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品目錄繪圖： RUESeriesEMT-3
特色產品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，1.2V驅動
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：200mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@200mA，2.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：25pF@10V
功率-最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SC-75，SOT-416
供應商器件封裝：EMT3