SGR2N60UFDTM

SGR2N60UFDTM
PDF資料下載

SGR2N60UFDTM參數(shù)：IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：2.6V @ 15V，1.2A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：2.4A
Current - Collector Pulsed (Icm)：10A
功率 - 最大值：25W
Switching Energy：43µJ
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：9nC
Td (on/off) A 25°C：15ns/80ns
Test Condition：300V, 1.2A, 200 歐姆, 15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：-
封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak