<strike id="mmcai"></strike>
SPB80N06S2L-11參數：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
類別：分立半導體產品-FET - 單產品變化通告： ProductDiscontinuation05/Jun/2008標準包裝：1,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：80A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：11毫歐@40A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@93µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：80nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2650pF@25V功率-最大值：158W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB供應商器件封裝：P-TO263-3
