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SPD02N60C3參數：MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK
類別：分立半導體產品-FET - 單產品培訓模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標準包裝：2,500系列：CoolMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標準漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續漏極(Id)（25°C時）：1.8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3歐姆@1.1A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.9V@80µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：12.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：200pF@25V功率-最大值：25W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應商器件封裝：PG-TO252-3
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