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SPI35N10參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 35A I2PAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Oct/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：SIPMOS®包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：35A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：44毫歐@26.4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@83µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：65nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1570pF@25V功率-最大值：150W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO262-3
