SSM3K35AMFV,L3F

SSM3K35MFV(TPL3)
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SSM3K35MFV(TPL3)參數(shù)：MOSFET N-CH SGL 20V 0.18A VESM

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： VESMTop VESMSide
標準包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平柵極，1.2V驅(qū)動
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：180mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3歐姆@50mA，4V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：9.5pF@3V
功率-最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-723
供應(yīng)商器件封裝：VESM（1.2x1.2）