SSM6J505NU,LF參數(shù)：MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平柵極，1.2V 驅(qū)動(dòng)漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：12A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 4A， 4.5V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：37.6nC @ 4.5V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：2700pF @ 10V功率 - 最大值：1.25W安裝類型：表面貼裝封裝：6-WDFN 裸露焊盤(pán)供應(yīng)商器件封裝：6-uDFN（2x2）
