SSM6N357R,LF

SSM6N35FE(TE85L,F)
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SSM6N35FE(TE85L,F)參數：MOSFET DUAL N-CH 20V .18A ES6

類別：分立半導體產品-FET - 陣列
產品培訓模塊： SmallSignalMOSFET
產品目錄繪圖： ES6Top ES6Side
標準包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：180mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3歐姆@50mA，4V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：9.5pF@3V
功率-最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝：ES6（1.6x1.6）