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TK100E06N1,S1X參數(shù)：MOSFET N CH 60V 100A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： SiliconN-channelMOSFETSiliconN-channelMOSFET標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：100A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.3毫歐@50A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：140nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：10500pF@30V功率-最大值：255W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
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