TK100E10N1,S1X

TK100E10N1,S1X
PDF資料下載

TK100E10N1,S1X參數(shù)：MOSFET N CH 100V 207A TO220

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：207A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.4 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA，10V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：140nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：8800pF @ 50V
功率 - 最大值：255W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3