TK10A60D

TK10A60D(Q,M)
PDF資料下載

TK10A60D(Q,M)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： TKSeriesSide3 TKSeriesSide2 TKSeriesTO-220FSide1
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：10A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：750毫歐@5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1350pF@25V
功率-最大值：45W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3整包
供應(yīng)商器件封裝：TO-220SIS