TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ
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TK10P60W,RVQ參數(shù)：MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
特色產(chǎn)品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：430毫歐@4.9A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.7V@500µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：700pF@300V
功率-最大值：80W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：DPAK