TK12P60W,RVQ參數(shù)：MOSFET N CH 600V 11.5A DPAK
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：600V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：11.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：340 毫歐 @ 5.8A， 10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 600µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：25nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：890pF @ 300V功率 - 最大值：100W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：DPAK
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