TK31E60W,S1VX

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TK31E60W,S1VX

Toshiba Semico..

TO-220

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TK31E60W,S1VX參數：MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

類別：分立半導體產品-FET - 單
特色產品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs
標準包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：30.8A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：88毫歐@15.4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.7V@1.5mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：86nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3000pF@300V
功率-最大值：230W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220

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