TK65E10N1,S1X參數(shù)：MOSFET N CH 100V 148A TO220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：-包裝：管件FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：100V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：148A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：4.8 毫歐 @ 32.5A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：81nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5400pF @ 50V功率 - 最大值：192W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
