TPC8212-H(TE12LQM

TPC8212-H(TE12LQ,M
PDF資料下載

TPC8212-H(TE12LQ,M參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：6A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：21 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：16nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：840pF @ 10V
功率 - 最大值：750mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）