TPC8A02-H(TE12LQ)

TPC8A02-H(TE12L,Q)
PDF資料下載

TPC8A02-H(TE12L,Q)參數：MOSFET N-CH SBD 16A SOP8 2-6J1B

類別：分立半導體產品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：16A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5.6 毫歐 @ 8A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1970pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）