TPC8A06-H(TE12LQM)

TPC8A06-H(TE12LQM)
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TPC8A06-H(TE12LQM)參數(shù)：MOSFET N-CH SBD 30V 12A 8SOP

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物!
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：12A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：10.1 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：19nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1800pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝：8-SOP（5.5x6.0）