TPCF8101(TE85L)參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品目錄繪圖： TPC8xxxSeriesSide TPC8xxxSeriesTop標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平柵極，1.8V驅(qū)動(dòng)漏源極電壓(Vdss)：12V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：28毫歐@3A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.2V@200µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：18nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1600pF@10V功率-最大值：-安裝類型：表面貼裝封裝：8-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：VS-8（2.9x1.9）
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