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TT8J1TR參數：MOSFET P-CH DUAL 12V 2.5A TSST8
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：3,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 P 溝道（雙）FET 功能：標準漏源極電壓 (Vdss)：12V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：2.5A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：61 毫歐 @ 2.5A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：13nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1350pF @ 6V功率 - 最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TSST供應商器件封裝：TSST8
