【供應(yīng)】NGTB20N120LWG
- 產(chǎn)品型號：NGTB20N120LWG
- 生產(chǎn)廠家： ON Semiconductor
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-247-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
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1pcs： $3.36000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價>>
10pcs： $3.00000/pcs
100pcs： $2.46000/pcs
250pcs： $2.22000/pcs
500pcs： $1.99200/pcs
1000pcs： $1.68000/pcs
2500pcs： $1.59600/pcs
5000pcs： $1.53600/pcs
10000pcs： $1.48800/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：-
包裝：管件
IGBT 類型：溝道和場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.2V @ 15V，20A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40A
Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
功率 - 最大值：192W
Switching Energy：3.1mJ（開），700µJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：200nC
Td (on/off) A 25°C：86ns/235ns
Test Condition：600V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247
系列：-
包裝：管件
IGBT 類型：溝道和場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：2.2V @ 15V，20A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：40A
Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
功率 - 最大值：192W
Switching Energy：3.1mJ（開），700µJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：200nC
Td (on/off) A 25°C：86ns/235ns
Test Condition：600V，20A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
封裝：TO-247-3
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-247
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NGTB20N120LWGONSemiconductorIGBT1200V40A..2023+24604原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
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