【供應(yīng)】TK34E10N1,S1X
- 產(chǎn)品型號：TK34E10N1,S1X
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：TO-220-3
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價格
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1pcs： $1.92000/pcs
- 向供應(yīng)商詢價>>
10pcs： $1.73600/pcs
25pcs： $1.55000/pcs
100pcs： $1.39500/pcs
250pcs： $1.24000/pcs
500pcs： $1.08500/pcs
1000pcs： $0.89900/pcs
2500pcs： $0.83700/pcs
5000pcs： $0.80600/pcs
詳細(xì)信息
特色產(chǎn)品：
Silicon N-channel MOSFETSilicon N-channel MOSFET
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：34A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.5 毫歐 @ 17A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 50V
功率 - 最大值：103W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：34A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：9.5 毫歐 @ 17A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：38nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 50V
功率 - 最大值：103W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
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TK34E10N1,S1XToshiba Semico..TO-2202023+500全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
