【供應】TPH12008NH,L1Q
- 產品型號：TPH12008NH,L1Q
- 生產廠家： Toshiba
- 產品規格：8-PowerVDFN
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
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5000pcs： $0.50540/pcs
- 向供應商詢價>>
10000pcs： $0.48450/pcs
25000pcs： $0.47120/pcs
50000pcs： $0.45600/pcs
詳細信息
標準包裝：5,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：80V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：24A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12.3 毫歐 @ 12A， 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300µA，10V
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：22nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 40V
功率 - 最大值：48W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應商器件封裝：8-SOP 高級
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標準
漏源極電壓 (Vdss)：80V
電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：24A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：12.3 毫歐 @ 12A， 10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 300µA，10V
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：22nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1900pF @ 40V
功率 - 最大值：48W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應商器件封裝：8-SOP 高級
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