【供應(yīng)】TPH2R306NH,L1Q
- 產(chǎn)品型號(hào)：TPH2R306NH,L1Q
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-PowerVDFN
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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5000pcs： $1.18300/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
10000pcs： $1.13750/pcs
25000pcs： $1.11475/pcs
50000pcs： $1.09200/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：60A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.3 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA，10V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：6100pF @ 30V
功率 - 最大值：78W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP 高級(jí)
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：60A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：2.3 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA，10V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：6100pF @ 30V
功率 - 最大值：78W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP 高級(jí)
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