BSP123E6327T

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BSP123E6327T參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：1,000
系列：SIPMOS®
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：370mA
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6 歐姆 @ 370mA，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 50µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：2.4nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：70pF @ 25V
功率 - 最大值：1.79W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：PG-SOT223-4