EMD35T2R

EMD30T2R
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EMD30T2R參數：TRANS NPN/PNP 30V 200MA EMT6

類別：分立半導體產品-晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式
標準包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA，200mA
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V，30V
電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k，1k
電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω)：10k
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：30 @ 5mA，5V / 140 @ 100mA，2V
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 500µA，10mA / 300mV @ 2.5mA，50mA
電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
頻率 - 躍遷：250MHz，260MHz
功率 - 最大值：150mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-563，SOT-666
供應商器件封裝：EMT6