FQD6N50CTM/F080

FQD6N50CTM
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FQD6N50CTM參數：MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品培訓模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
PCNDesign/Specification： PassivationMaterial14/May/2008
標準包裝：2,500
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：500V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：4.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：1.2歐姆@2.25A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：25nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：700pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應商器件封裝：D-Pak