HGT1S10N120BNS參數(shù)：IGBT NPT N-CHAN 1200V TO-263AB
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：-包裝：管件IGBT類型：NPT電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic時的?Vce(on)：2.7V@15V，10A電流-集電極(Ic)（最大值）：35ACurrent-CollectorPulsed(Icm)：80A功率-最大值：298WSwitchingEnergy：0.32mJ(開),0.80mJ(關(guān))輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)GateCharge：100nCTd(on/off)A25°C：23ns/165nsTestCondition：960V,10A,10歐姆,15V反向恢復(fù)時間(trr)：-封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB安裝類型：表面貼裝供應(yīng)商器件封裝：TO-263AB
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