IXYSDSEI2/61-06C/649A

IXYB82N120C3H1
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IXYB82N120C3H1參數(shù)：IGBT 1200V 160A 1040W PLUS264

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：25
系列：XPT™, GenX3™
包裝：管件
IGBT 類型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on)：3.2V @ 15V，82A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：160A
Current - Collector Pulsed (Icm)：320A
功率 - 最大值：1040W
Switching Energy：4.95mJ（開），2.78mJ（關(guān)）
輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：215nC
Td (on/off) A 25°C：29ns/192ns
Test Condition：-
反向恢復(fù)時間 (trr)：420ns
封裝：TO-264-3，TO-264AA
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：*