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NVMFS5844NLT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 11.2S SO-8FL
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：650系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：60V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：11.2A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：12 毫歐 @ 10A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：30nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1460pF @ 25V功率 - 最大值：3.7W安裝類型：表面貼裝封裝：8-TDFN 裸焊盤(pán)（5 根引線）供應(yīng)商器件封裝：5-DFN（5x6）
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