SPN020094TR

SPN02N60C3
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SPN02N60C3參數：MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductDiscontinuation18/Dec/2009
標準包裝：1,000
系列：CoolMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：650V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：400mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.5歐姆@1.1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.9V@80µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：200pF@25V
功率-最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：PG-SOT223-4