[闂佹椿婢€缁插鎯佹禒瀣闁哄牜鎽嬮梺鑹伴哺濮婂鏌堥幘顔肩睄闁诡垶鍋婇崵鐐烘偣閸パ呮憼婵″弶鍨垮浼搭敍濮橆叀鍚梺鐟板悑缁酣寮崫銉х＞闁瑰瓨绮庨悷鎰版煟椤忓嫷鍎忛柛鈺佺暉首頁 > IC > S-3862頁 >

SPN020097.

供應查詢

闂婎偄娴傞崑濠囧焵椤掑倸鏋庣憸鏉垮€婚弫顕€宕橀鍏肩彴闁荤姵鍔ч幏锟�闂佸搫鍟版繛鈧繛鎾规硾閳绘棃濡搁妷銉︽澑 1闂佸憡甯掑Λ婵嬪箰閹惧湱鐤€妞ゆ劧鑵归崑鎾绘偄瀹勬壆宀涢柣銏╁灲閹凤拷

您是不是要找：SPN020109 SPN020110YTR SPN020114 SPN020190TX SPN020190YTX

闂佹悶鍔岄鍛般亹閿燂拷 闂佸憡绻€閼宠埖鏅堕敓锟� 闁诲繐绻嬪ù鍥夐敓锟� 闂佸湱鏁搁幊鎾广亹閿燂拷 闂佽桨妞掗崡鎶藉闯閿燂拷 闂佸憡顨嗗ú鎴︽偝閿燂拷/闁荤姴娲ら悺銊ノｉ敓锟� 婵炴挻纰嶇粙鎴犺姳閺屻儱鐤柨鐕傛嫹+闂佽壈椴稿濠氭焾閹绢喖妫橀柣鐔稿绾偓 闂侀潻璐熼崝搴ㄥ吹鎼达絾瀚氭い顐幘楠烇拷: SPN020097.

SOT23-5

2023+

60000

全新原裝公司現貨

闁荤姴娲ㄩ弻澶嬬閸垹瀵查悹鍥ф▕閸氬倿鏌￠崼婵堛€俀闂佹寧鍐婚幏锟�1615911345

相關型號： SPN01N60C3 SP-MX-U8-1.1-KIT SP-MX-U4-1.1-KIT SP-MX-H8-1.2-KIT SP-MX-H4-1.2-KIT SPMD250STP

SPN02N60C3
PDF資料下載

SPN02N60C3參數：MOSFET N-CH 650V 0.4A SOT-223

類別：分立半導體產品-FET - 單
產品變化通告： ProductDiscontinuation18/Dec/2009
標準包裝：1,000
系列：CoolMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：650V
電流-連續漏極(Id)（25°C時）：400mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.5歐姆@1.1A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.9V@80µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：200pF@25V
功率-最大值：1.8W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應商器件封裝：PG-SOT223-4

SPN020097.

document.write('<a href=http://www.infineon.com/dgdl/SPN02N60C3_Rev.2.3.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d5ef34863 rel=nofollow class=tit target="_blank">')SPN02N60C3PDF資料下載document.write('</a>')

在線詢價

SPN02N60C3
PDF資料下載