SSM6L35FE(TE85L,F)參數(shù)：MOSFET N-CH/P-CH 20V .18A ES6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： SmallSignalMOSFET產(chǎn)品目錄繪圖： ES6Top ES6Side標準包裝：4,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：180mA，100mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3歐姆@50mA，4V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：-不同Vds時的輸入電容(Ciss)：9.5pF@3V功率-最大值：150mW安裝類型：表面貼裝封裝：SOT-563，SOT-666供應(yīng)商器件封裝：ES6（1.6x1.6）
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