【供應】TPH4R606NH,L1Q
- 產(chǎn)品型號：TPH4R606NH,L1Q
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-PowerVDFN
- 供應商：查看供應商>>
美元參考價格
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5000pcs： $0.79950/pcs
- 向供應商詢價>>
10000pcs： $0.76875/pcs
25000pcs： $0.75337/pcs
50000pcs： $0.73800/pcs
詳細信息
標準包裝：5,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：32A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.6 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：49nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3965pF @ 30V
功率 - 最大值：63W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應商器件封裝：8-SOP 高級
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：32A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.6 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：49nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3965pF @ 30V
功率 - 最大值：63W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應商器件封裝：8-SOP 高級
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TPH4R606NH,L1QToshiba Semico..8-SOP Advanc..2023+500全新原裝進口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
