【供應(yīng)】TPH8R80ANH,L1Q
- 產(chǎn)品型號：TPH8R80ANH,L1Q
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-PowerVDFN
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
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5000pcs： $0.67600/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
10000pcs： $0.65000/pcs
25000pcs： $0.63960/pcs
50000pcs： $0.62400/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：32A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.8 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2800pF @ 50V
功率 - 最大值：61W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP 高級
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：32A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：8.8 毫歐 @ 16A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 500µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：33nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2800pF @ 50V
功率 - 最大值：61W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-SOP 高級
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