【供應(yīng)】TPN22006NH,LQ
- 產(chǎn)品型號：TPN22006NH,LQ
- 生產(chǎn)廠家： Toshiba
- 產(chǎn)品規(guī)格：8-PowerVDFN
- 供應(yīng)商：查看供應(yīng)商>>
美元參考價(jià)格
-
3000pcs： $0.31900/pcs
- 向供應(yīng)商詢價(jià)>>
6000pcs： $0.29700/pcs
15000pcs： $0.28600/pcs
30000pcs： $0.27500/pcs
75000pcs： $0.27060/pcs
150000pcs： $0.26400/pcs
詳細(xì)信息
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：9A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：710pF @ 30V
功率 - 最大值：18W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-TSON高級
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：9A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：12nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：710pF @ 30V
功率 - 最大值：18W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：8-TSON高級
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TPN22006NH,LQToshiba Semico..8-TSON Advan..2023+500全新原裝進(jìn)口現(xiàn)貨品質(zhì)保證
