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【供應】TPN22006NH,LQ

  • 產品型號:TPN22006NH,LQ
  • 生產廠家: Toshiba
  • 產品規格:8-PowerVDFN
  • 供應商:查看供應商>>
美元參考價格
    3000pcs: $0.31900/pcs
    6000pcs: $0.29700/pcs
    15000pcs: $0.28600/pcs
    30000pcs: $0.27500/pcs
    75000pcs: $0.27060/pcs
    150000pcs: $0.26400/pcs
  • 向供應商詢價>>
詳細信息
標準包裝:3,000
系列:-
包裝:帶卷 (TR)
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標準
漏源極電壓 (Vdss):60V
電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時):9A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 4.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 100µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):710pF @ 30V
功率 - 最大值:18W
安裝類型:表面貼裝
封裝:8-PowerVDFN
供應商器件封裝:8-TSON高級
TPN22006NH,LQ供應商
TPN22006NH,LQ
Toshiba Semico..
8-TSON Advan..
2023+
500
全新原裝進口現貨品質保證
深圳市同亨電子有限公司 
主營產品:IC集成電路 電子元器件 二三極管 模塊
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